Які причини виникнення струмів в напівпровідниках? а) нерівномірна концентрація носіїв заряду в об’ємі напівпровідника;
б) існування власних шумів напівпровідника;
в) прикладене до напівпровідника електричне поле;
г) збільшення температури навколишнього середовища.
2. В якому включенні р-п переходу потенційний бар’єр може дорівнювати 0?
а) в прямому;
б) в зворотному;
в) потенційний бар’єр не може бути рівним 0.
3. Намалювати умовне позначення біполярного транзистора та підписати його виводи.
4. Яка схема включення транзистора має найкращі узгоджувальні властивості?
а) СБ;
б) СЕ;
в) СК.
226
405
Популярно: Физика
-
Студентка16епта29.03.2022 14:23
-
iDanee31.12.2020 05:24
-
Haesiy15.04.2022 01:01
-
dhjejdj22.12.2022 10:08
-
yulik930.04.2020 18:14
-
aleksminaev01.05.2022 00:46
-
LionRed22505.07.2020 00:38
-
mariyam210528.01.2022 02:57
-
Silwashka9926.03.2023 05:48
-
danilejik29.09.2021 20:27