Исследовать вольт-амперную характеристику диода. Построить вольтамперные характеристики германиевого и кремниевого диодов. Найти IД для Si и Ge. При постройке теоретической ВАХ диода учитывать напряжение открытия Si диода 0,6-1,2 В, Ge диода 0,3-0,6 В. ответить на контрольные вопросы по вариантам. Вариант выбрать из списка обучающихся на портале.
Здесь, для Si: I0=10 нА; для Ge: I0=1 мкА; φ_t≈25мВ.

Прямая
ВАХ Uд 0 0,01 0,02 0,04 0,05 0,08 0,1 0,12 0,15 …
IД
Обратная ВАХ Uд 1 2 5 10 50 100 200 300 500 …
IД

266

413

Посмотреть ответы 1

Ответы на вопрос:

majten

Физика

4,7(76 оценок)

25 м

Объяснение:

t=10 c a=0.5 м/с² s=?

===

vo=0

s=vo*t+a*t²/2=0+0.5*10²/2=25 м

======================

150 000+ пользователей

Оформить подписку